烧结银,HBM的黄金搭档一、无压烧结银技术原理无压烧结银AS9376利用纳米银颗粒的独特表面能和低温烧结特性实现芯片与基板间的高效连接。纳米银颗粒尺寸极小,具有较大的比表面积和高表面能,在较低温度下,颗粒表面原子的活性增强,能够克服颗粒间的界面能障碍,通过原子扩散实现颗粒间的固相烧结。这一过程无需施加外部压力,仅通过精确控制烧结温度和时间即可完成。相较于传统芯片封装采用的锡基焊料,无压烧结银突破了熔点和导热性能的限制。例如,传统锡基焊料熔点相对较低,在高温环境下易软化甚至熔化,影响芯片连接的稳定性;而无压烧结银在远低于银熔点(961.78℃)的温度下,通常在 150℃ - 300℃范围内就能实...