中兴二面（未来领军）

背景：某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标，需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA，核心围绕低功耗设计技术展开。核心代码模式算法题：删除有序链表中重复的元素-I追问1：如果换成 FinFET 工艺，比如台积电 7nm 的，怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流？追问2：物理设计上，怎么用多电压域设计，来分开给关键和非关键模块供电？追问3：如果芯片要做 DVFS，PMU 那边是怎么配合，来优化电压和频率的？追问4：画版图的时候，衬底接触和隔离环要怎么弄，才能避免闩锁效应？追问5：实际项目中，有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况？一般是怎么解决的？

8.11面完二面，这都10天了😭

一面二面中间隔了一个世纪还以为早就被刷了1.自我介绍2.对公司＋岗位业务的了解3.之前有没有跨部门协作过？遇到意见不合怎么解决？4.做的xx项目你具体负责了什么工作？遇到什么困难？5.如果任务不能及时完成你会怎么解决？6.如果你遇到一个行业很前沿的问题，你会怎么做？7.职业规划＋base地考虑8.反问

纯纯丢脸现场，公司可能是看我是双9硕士才原意给我面试机会的吧，项目经验比较缺乏，之所以投递还是因为比较感兴趣，但基础还是有些不足，面试的时候好多问题不会，有点尴尬😅