8.17 那一批笔试的，有测试开发的友友约面吗

背景：某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标，需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA，核心围绕低功耗设计技术展开。核心代码模式算法题：删除有序链表中重复的元素-I追问1：如果换成 FinFET 工艺，比如台积电 7nm 的，怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流？追问2：物理设计上，怎么用多电压域设计，来分开给关键和非关键模块供电？追问3：如果芯片要做 DVFS，PMU 那边是怎么配合，来优化电压和频率的？追问4：画版图的时候，衬底接触和隔离环要怎么弄，才能避免闩锁效应？追问5：实际项目中，有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况？一般是怎么解决的？

自我介绍 挑一个比赛中挑战比较大的经历说一说基本就是围绕着项目进行提问 面试官好像不是很了解我项目中写的嵌软方面的东西 基本都是问项目制定方法过程 对比其它方案优劣这样 问得比较浅 像 kpi 面  总共耗时 20 分钟，感觉凉凉了听说今年 dji 面试流程只有一两轮面试了？大伙们都怎么样

投了大疆的测试开发工程师岗位简历直接给我刷掉了，我感觉我简历不差呀