8.17 那一批笔试的，有测试开发的友友约面吗

1.自我介绍 2.做的最好的项目介绍 3.拷打项目细节 4.ADC选型考虑哪些参数5.追问项目 6.反问环节大疆还是难，压迫感挺强的

面完已经两个星期了，没有动静，是不是没戏了啊好难受

背景：某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标，需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA，核心围绕低功耗设计技术展开。核心代码模式算法题：删除有序链表中重复的元素-I追问1：如果换成 FinFET 工艺，比如台积电 7nm 的，怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流？追问2：物理设计上，怎么用多电压域设计，来分开给关键和非关键模块供电？追问3：如果芯片要做 DVFS，PMU 那边是怎么配合，来优化电压和频率的？追问4：画版图的时候，衬底接触和隔离环要怎么弄，才能避免闩锁效应？追问5：实际项目中，有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况？一般是怎么解决的？