长鑫存储-DDR5芯片领域取得突破

半导体行业迎来了DDR5芯片的重大突破，特别是中国首次推出的DDR5芯片。新年伊始，半导体行业迎来重大突破。知名市场观察机构TechInsights在深入剖析后发现，在一款DDR5 6000Mhz内存产品中，竟然蕴含着中国制造的首款DDR5芯片！这一发现，无疑彰显了中国在半导体领域的崭新崛起。

这一重大突破无疑令人振奋。TechInsights迅速以“首款中国制造DDR5内存由长鑫存储发布”为题，对此进行了深入报道。

▲ 技术细节与工艺优势

长鑫存储的DDR5芯片展示了先进的技术和工艺水平，包括16Gbit的存储能力、尺寸及位密度的优化，以及在G4 DRAM工艺下的技术进步。目前，TechInsights的这篇报道在首页显著位置展示，同时得到彭博社等多家知名媒体的转载。长鑫存储技术有限公司（CXMT），作为中国领先的DRAM制造商，在DDR5技术成为行业新宠的背景下，终于推出了16Gbit DDR5芯片，向市场展现了其技术实力。本周，TechInsights进一步拆解并深入分析了光威16GBx2 DDR5-6000Mhz台式机UDIMM内存（VGM5UC60C36AG-DVDYBN）这一商用产品，该产品由长鑫存储精心打造的16颗16Gbit DDR5芯片精心打造而成，有力证明了长鑫存储在DDR5领域的领先地位。

根据TechInsights的描述，我们可以推断出其所述的DDR5芯片很可能是指图中所示的“弈”系列内存。这款16Gbit DDR5芯片，尺寸为66.99mm^2，长8.19mm，宽8.18mm，且芯片密封。其位密度高达0.234Gbit/mm^2，充分展现了其存储能力的强大。该芯片采用了长鑫存储最新一代的G4 DRAM工艺，其存储单元面积缩小至0.0020 µm^2，特征尺寸达到16.0nm。相较于之前的G3 DRAM工艺节点（特征尺寸18nm），长鑫存储在DRAM单元面积上实现了20%的缩减，进一步证明了其在DDR5技术上的领先地位。

02长鑫存储的发展历程与市场地位

▲ 历史成就与技术创新

长鑫存储在过去几年中，通过不断的技术创新和工艺提升，在DRAM领域取得了显著成就，推出了多款重要产品。长鑫存储在过去几年中，通过不断的技术创新和工艺提升，在DRAM领域取得了显著成就，推出了多款重要产品。回顾长鑫存储的发展历程，从最初使用23.8nm（D2y工艺节点）制造G1代DRAM，到后来的18.0nm（D1x工艺节点）制造G2代产品，长鑫存储在工艺提升和产品创新上始终走在行业前列。

▲ 长鑫存储的市场表现

DDR5的市场接受度和长鑫存储的出货量数据反映出其在市场中的重要地位，同时，显示出与国际领先者的技术差距。随着DRAM市场的持续发展，DDR5的出货量在2024年第二季度便已超越DDR4，展现出强劲的增长势头。据TechInsights的2024年四季度DRAM市场报告显示，DDR5在2024年的出货量高达87Ebit，相较DDR4的62Ebit取得了显著领先。展望未来，DDR5的出货量有望在2025年突破150Ebit，实现57%的强劲增长。这一系列数据，充分展现了长鑫存储在DRAM工艺和产品创新上的卓越实力。

▲ 未来研发方向与挑战

虽然长鑫存储在技术上取得显著进步，但仍面临缩小与国际竞争对手技术差距的挑战，并积极投入新一代技术和产品的研发。虽然长鑫存储在技术上取得显著进步，但仍面临缩小与国际竞争对手技术差距的挑战，并积极投入新一代技术和产品的研发。当前，三大顶尖DRAM制造商——三星、SK海力士和美光，均采用更为先进的工艺节点，如D1a/D1α和D1b/D1β，制造DDR5芯片，其特征尺寸已达到12至14nm的精湛水平。值得注意的是，16Gbit DDR5芯片已成为当前出货量的主流。事实上，这三家领先企业自2021年起便已开始大规模量产16Gbit DDR5，这也从侧面反映出长鑫存储在技术追赶方面仍需努力，目前与这些行业佼佼者尚存三年的技术差距。

然而，长鑫存储并未止步于17nm（D1y）DRAM节点，而是直接进军16nm（D1z）节点，展现出其激进的研发步伐。这家中国芯片厂商正全力以赴地推进下一代产品（采用无需EUV光刻的sub-15nm工艺）以及HBM高带宽内存技术的研发工作。