背景:某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标,需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA,核心围绕低功耗设计技术展开。核心代码模式算法题:删除有序链表中重复的元素-I追问1:如果换成 FinFET 工艺,比如台积电 7nm 的,怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流?追问2:物理设计上,怎么用多电压域设计,来分开给关键和非关键模块供电?追问3:如果芯片要做 DVFS,PMU 那边是怎么配合,来优化电压和频率的?追问4:画版图的时候,衬底接触和隔离环要怎么弄,才能避免闩锁效应?追问5:实际项目中,有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况?一般是怎么解决的?