背景：某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标，需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA，核心围绕低功耗设计技术展开。核心代码模式算法题：删除有序链表中重复的元素-I追问1：如果换成 FinFET 工艺，比如台积电 7nm 的，怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流？追问2：物理设计上，怎么用多电压域设计，来分开给关键和非关键模块供电？追问3：如果芯片要做 DVFS，PMU 那边是怎么配合，来优化电压和频率的？追问4：画版图的时候，衬底接触和隔离环要怎么弄，才能避免闩锁效应？追问5：实际项目中，有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况？一般是怎么解决的？

秋招投了二三十家了，一个都没面过😓哎，最终还是吃了学历的亏啊。

笔试时间1小时，单摄像头。 一共有两部分的内容，都是客观题，没有编程题。 第一部分是芯片通用知识，好像是13到题目，60分。 第二部分是四选一，40分，根据自己投的岗位选择题目，我选的是芯片设计。有单选题、多选题，还行不定项。 时间感觉绰绰有余，就是很多不会，芯片通用的题目很多都不会，有设计、验证、数字电路有关的，考的东西还是比较多的。不知道能不能过，心里还是有点虚，大家一定要多刷刷题，感觉考的很杂很多呜呜。

期待开奖捏😁😁