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在同步降压转换器（Synchronous Buck Conv

[单选题]

在同步降压转换器（Synchronous Buck Converter）拓扑中，低边（Low-Side）MOSFET的体二极管（Body Diode）在死区时间（Dead Time）内会导通。这个过程会引入一个主要的设计挑战，即：

体二极管的正向压降过高，导致其导通期间的损耗远大于MOSFET沟道的导通损耗。

体二极管的存在使得MOSFET在理论上无法实现零电压开通（ZVS）。

体二极管的反向恢复特性（Reverse Recovery）会导致高边MOSFET开通时产生巨大的电流尖峰，增加开关损耗和EMI问题。

体二极管会显著降低MOSFET的栅极电荷（Gate Charge），使其更难驱动。

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发表于今天 15:51:47 回复(0)

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