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在深亚微米工艺下进行静态时序分析（STA）时，下列哪种效应最

[单选题]
在深亚微米工艺下进行静态时序分析（STA）时，下列哪种效应最可能导致芯片在高温条件下出现建立时间违例？ 
  • 负温度系数的金属电阻降低互连线延迟
  • 晶体管内载流子迁移率随温度升高而显著下降
  • 电源电压随温度升高而增加
  • 门级单元电容值在高温下减少
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STA
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