氮化镓激光二极管是一种以氮化镓（GaN）为核心半导体材料制备的半导体激光器件。它通过在GaN基外延结构中形成多量子阱有源层，当电流注入后，载流子在有源层中复合并产生受激辐射，从而发射出特定波长的相干激光。由于GaN材料具有宽带隙特性，氮化镓激光二极管通常覆盖从紫外（约365 nm）到蓝光、蓝绿光（约400–530 nm）的波长范围，具有高效率、高亮度、小型化和长寿命等优势，广泛应用于蓝光存储、投影和显示、医疗、工业等领域。氮化镓激光二极管产品图片来源：QYResearch 电子与半导体研究中心市场前景广阔：GaN激光二极管是高价值、高利润的产品。其增长受到高科技设备日益普及的推动，这些设备涵盖...

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