小记2～

单斜氧化镓单晶衬底是以单斜晶系的β相氧化镓（β-Ga₂O₃）为材料制成的单晶基板，用于半导体器件制造。它具有超宽禁带宽度（4.2-4.9eV）、高击穿电场强度（约8MV/cm）、良好的热稳定性和紫外光透过率等特点，是第四代半导体材料的重要代表。该衬底通过熔体法（如直拉法、导模法等）生长而成，常用于功率电子器件、射频器件和光电器件等领域，可支持大尺寸、低成本的器件制造，是下一代半导体技术的关键基础材料。据QYResearch调研团队最新报告“全球单斜氧化镓单晶衬底市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球单斜氧化镓单晶衬底市场规模将达到4.3亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为27....

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