2025 年 11 月，全球头部市场报告出版商 Global Info Research（环洋市场咨询）发布《2025 年全球市场氮化镓 MOSFET 总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告》（报告编码：2371834），以 2020-2024 年历史数据为基础，对 2025-2031 年全球市场发展趋势进行系统预判，为行业参与者提供全景式决策参考。

作为第三代半导体的核心器件，氮化镓 MOSFET 凭借高频、耐高压、低功耗等优势，成为电动汽车、数据中心、光伏发电等高端领域的关键支撑组件，其技术突破与产能扩张深度契合全球能源转型与电子设备升级需求。据 GIR 调研数据显示，2024 年全球氮化镓 MOSFET 市场已形成规模化收入体量，其中仅汽车领域的氮化镓技术市场规模就达 1.81 亿美元。受益于下游应用场景的爆发式增长，预计到 2031 年市场整体收入将实现跨越式提升，2025 至 2031 年期间年复合增长率（CAGR）将保持高速发展水平，尤其汽车领域增速尤为突出，预测 CAGR 可达 94.3%。

本次发布的报告共设 16 个章节，构建了多维度的市场分析体系。首章明确氮化镓 MOSFET 的产品定义、统计范畴及核心分类，同步呈现全球及各地区市场的规模演变与预测数据，为行业认知奠定基础。在生产商分析维度，报告第二章重点拆解 2020-2025 年间全球主流企业的经营格局，涵盖企业概况、核心产品特性、收入及毛利率等关键指标，既包括英飞凌（Infineon）、意法半导体（STMicroelectronics）等国际巨头，也涵盖英诺赛科（Innoscience）等本土龙头 —— 后者 2023 年以 33.7% 的市场份额位居全球氮化镓分立器件领域首位，2024 上半年营收同比增长超 25%，并通过港股 IPO 募资扩大 8 英寸晶圆产能。前五大核心厂商合计占据全球约 69% 的市场份额，竞争格局相对集中。

竞争态势与区域市场分析构成报告的核心板块。第三章聚焦 2020-2025 年行业动态，从企业市场地位、业务布局、产能扩张等角度，结合英诺赛科引入意法半导体、矽力杰等战略投资的案例，剖析行业并购与技术协同趋势；第四至十一章则按北美、欧洲、亚太等区域细分，逐层呈现各国家市场的销量与收入数据，其中亚太地区凭借制造产能集聚与下游需求旺盛的双重优势，已成为全球市场增长的核心引擎，中国更是在相关细分领域占据 44% 的全球市场份额。

报告对行业发展逻辑的深度挖掘为核心价值所在。第十二章系统梳理驱动因素与制约瓶颈：增长动力方面，电动汽车车载充电机（OBC）升级、数据中心电源效率提升等需求形成核心推力，如英诺赛科的全电压谱系产品已广泛适配新能源汽车场景；而技术壁垒高、高端原料依赖进口等问题则构成行业发展挑战。报告还通过波特五力模型，分析了现有企业竞争强度、潜在进入者壁垒等关键要素，其中头部企业凭借 8 英寸晶圆量产技术等核心优势，构筑了显著的竞争护城河。

产业链与渠道分析部分，第十三章拆解了从原料供应到生产制造的全链条结构，涵盖衬底材料、外延生长等关键环节的供应商格局与成本构成；第十四章则梳理了典型经销商网络与终端客户特征，明确汽车制造商、光伏设备企业等核心需求方的采购偏好。

作为专业市场研究成果，该报告由广州环洋市场信息咨询有限公司编制，其严谨的研究方法与跨周期数据视角，可满足半导体企业、投资机构、科研院所等多主体的信息需求，为把握行业发展机遇提供有力支撑。