全球SiC和GaN外延生长设备市场深度调研及发展策略研究报告2025-2031

外延生长或外延，是指在晶体衬底上沉积晶体覆盖层（外延层）。外延用于制造硅锭并在晶片表面沉积合适的晶体层。 外延可分为同质外延和异质外延，为了满足器件在不同应用领域对电阻等参数的特定要求，必须在衬底上进行满足条件的外延后才可制作器件，因此外延质量的好坏将会影响器件的性能。第二代和第三代半导体材料如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等都广泛需要外延技术作为支撑。 外延生长设备通过外延生长技术，在半导体制造中起着重要作用。它能够提供高质量、高控制性的外延层，用于制造各种半导体器件和功能材料。

第三代半导体黄金赛道，装备技术壁垒高筑

 2024年全球SiC和GaN外延生长设备市场规模大约为1147百万美元，预计2031年达到1883百万美元，2025-2031期间年复合增长率（CAGR）为7.5%。就销量而言，2024年全球SiC和GaN外延生长设备销量为 ，预计2031年将达到 ，年复合增长率为 %。 

根据LP Information（LPI）2025年最新研究数据，全球SiC和GaN外延生长设备市场规模预计将保持高速增长，年均复合增速超过20%。这一增长主要得益于新能源汽车功率模块的规模化导入，以及通信和储能领域对高效率功率器件的需求扩张。从产业技术层面看，外延设备的核心壁垒在于气流场与温度场控制的均匀性、反应腔体设计精度以及材料纯度管理。尤其在SiC外延环节，厚层生长速率、缺陷密度控制及可量产性成为设备厂商竞争焦点。国际巨头如Aixtron、Veeco、LPE、住友电工等持续通过并购和技术协同扩大市场份额，而国内企业如中微公司、北方华创正加速突破核心部件自研与国产替代。

新能源汽车与宽禁带材料推动设备需求爆发

政策层面上，中国、美国、欧盟均已将SiC和GaN列为战略性新材料，明确提出加快化合物半导体装备国产化。根据2024年国家工信部和发改委发布的产业支持政策，化合物半导体装备被纳入“重点短板突破清单”，并享受专项资金与税收支持。企业年报显示，2024年至2025年间，多家国内厂商已启动千片级外延产线扩建项目，显著提升设备订单需求。新能源汽车驱动系统中SiC MOSFET和GaN功率模块的渗透率快速提升，直接拉动外延设备市场增长。

产业链加速整合，外延设备迎来国产化窗口期

从资本与供应链格局看，外延设备产业正进入技术验证与量产导入的关键期。券商研报指出，国内设备企业在MOCVD腔体材料、气路控制系统、软件算法等领域的突破，使其逐步具备与海外厂商同台竞争的能力。LPI报告同时指出，未来五年内，中国市场有望成为全球SiC与GaN外延设备增长最快的区域之一。随着电动汽车、快充、数据中心及储能系统对高效率器件需求的持续扩张，SiC和GaN外延生长设备正成为连接“芯片制造技术跃迁”与“绿色能源革命”的关键桥梁。

在全球能源结构转型与数字化浪潮并行推进的当下，SiC与GaN外延生长设备不仅是技术装备，更是驱动新一轮半导体产业变革的战略引擎。

文章摘取路亿市场策略（LP Information）出版的《全球SiC和GaN外延生长设备市场增长趋势2025-2031》，本报告将深入分析当前美国关税政策及各国的多样化应对措施，评估其对市场竞争结构、区域经济表现和供应链韧性的影响。

本报告还包含：SiC和GaN外延生长设备行业发展趋势、驱动因素、及行业面临的挑战和风险等；SiC和GaN外延生长设备制造成本分析，包括 电缆和电线定位器 的原料及供应商、生产成本分析、生产流程、供应链等；SiC和GaN外延生长设备行业的销售渠道、分销商及下游客户等。