大疆芯片设计面试
背景：某低功耗芯片在待机模式下漏电流超标，需要通过电路设计优化将功耗降低至≤1μA，核心围绕低功耗设计技术展开。
核心代码模式算法题：删除有序链表中重复的元素-I
追问1：如果换成 FinFET 工艺，比如台积电 7nm 的，怎么优化晶体管尺寸来减小漏电流？
追问2：物理设计上，怎么用多电压域设计，来分开给关键和非关键模块供电？
追问3：如果芯片要做 DVFS，PMU 那边是怎么配合，来优化电压和频率的？
追问4：画版图的时候，衬底接触和隔离环要怎么弄，才能避免闩锁效应？
追问5：实际项目中，有没有碰到过因为工艺偏差时序收不上的情况？一般是怎么解决的？
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不建议写那么大，可以从小出发更容易