华为2026届实习硬件通用机考真题——时间：2025.04.16

单选题（26道）

1、在计算机内部，信息的传送、存储和处理是以（）形式进行的。

A.二进制码

B.BCD码

C.十六进制码

D.ASCII码

答案：A

解析：计算机内部采用二进制来表示和处理信息，因为二进制只有0和1两个数码，易于用电子元件实现，且运算规则简单，所以信息的传送、存储和处理是以二进制码形式进行的。BCD码主要用于表示十进制数，十六进制码常是为了方便书写和表示二进制数而采用，ASCII码是用于表示字符的编码，都不是计算机内部信息处理的基本形式。

2、流水线级数是影响处理器效率的重要因素，流水线级数越深，CPU执行效率越高。

A.正确

B.错误

答案：B

解析：虽然流水线级数增加在一定程度上可以提高CPU执行效率，因为它能使指令重叠执行，提高资源利用率，但流水线级数并非越深越好。当流水线级数过深时，会带来额外的开销，如增加硬件复杂度、延长指令执行的延迟、增加数据相关性处理的难度等，这些因素可能导致CPU执行效率下降，所以该说法错误。

3、以下常用EMC防护器件，说法正确的是：

1、压敏电阻MOV

2、瞬态电压抑制二极管TVS

3、气体放电管GDT

4、半导体放电管TSS

A.开关型器件：MOV、TVS；钳位型器件：GDT、TSS；

B.开关型器件：GDT、TSS；钳位型器件：MOV、TVS；

C.开关型器件：TVS、TSS；钳位型器件：GDT、MOV；

D.开关型器件：GDT、MOV；钳位型器件：TVS、TSS；

答案：B

解析：开关型器件是当浪涌电压超过一定值时，器件从高阻态变为低阻态，导通电流，将浪涌能量泄放掉，GDT（气体放电管）和TSS（半导体放电管）属于开关型器件。钳位型器件是当电压超过一定值时，将电压钳位在一个固定值，限制电压的进一步升高，MOV（压敏电阻）和TVS（瞬态电压抑制二极管）属于钳位型器件。

4、关于施密特触发器，哪一个不是其主要作用（）

A.脉冲整形

B.波形变换

C.提升输出

D.脉冲鉴幅

答案：C

解析：施密特触发器具有脉冲整形作用，能将不规则的脉冲信号整形成规则的矩形脉冲；可进行波形变换，比如将正弦波等非矩形波变换为矩形波；还能用于脉冲鉴幅，通过设置阈值来鉴别输入脉冲信号的幅度。而施密特触发器主要功能不包括提升输出，它主要是对信号的形态、幅度等进行处理和变换，不是用于提升输出信号的某种特性，所以选C。

5、对于AD模数转换器相关概念描述错误的是

A.ADC动态范围指其可以可靠测量的最大值和最小值的比率

B.在满摆幅输入范围确定的情况下，分辨率主要取决于ADC的位数

C.ADC线性度指标中INL表征整体的非线性度，DNL表征局部的非线性度

D.ADC的分辨率即代表其精确度

答案：D

解析：ADC的分辨率是指ADC能够分辨的最小模拟量变化，而精确度不仅与分辨率有关，还受其他因素如噪声、线性度等影响，所以分辨率不能完全代表其精确度；A选项，ADC动态范围确实是指可可靠测量的最大值和最小值的比率；B选项，在满摆幅输入范围确定时，ADC位数越多，分辨率越高；C选项，INL表征整体非线性度，DNL表征局部非线性度，描述正确。

6、使用示波器测量电源高频噪声时，如何操作是错误的?

A.测量芯片引出的bump测试点

B.测量多个周期后取vpp值

C.使用AC档测量

D.使用高阻探头测量，用探头的鳄鱼夹接地

答案：D

解析：使用示波器测量电源高频噪声时，不能使用探头的鳄鱼夹接地，因为鳄鱼夹接地线电感较大，在高频时会呈现较大的阻抗，导致接地不良，引入额外的干扰，影响测量准确性。而A选项测量芯片引出的bump测试点可获取相关信号；B选项测量多个周期后取vpp值能更准确反映噪声幅度；C选项使用AC档可滤除直流成分，专注于高频交流噪声测量，这三个选项的操作都是正确的。

7、以下I2C协议描述正确的是（）。

A.I2C是通过CS片选选择设备

B.12C信号线具有6个信号线

C.支持全双工通信

D.通过地址寻址方式通信

答案：D

解析：I2C通信是通过地址寻址方式来选择通信设备的，而不是通过CS片选，A错误；I2C只有两条信号线，分别是串行数据线SDA和串行时钟线SCL，B错误；I2C是半双工通信，不是全双工通信，C错误。所以正确答案是D。

8、PCB上的数字电路，在什么情况下我们将PCB布线看成传输线?（）(设Tr为信号上升时间，Tpd为PCB线上的信号传输时延)

A.Tpd>Tr/10

B.Tpd<Tr/4

C.Tpd<Tr/10

D.Tpd>Tr/4

答案：D

解析：当PCB布线的信号传输时延Tpd大于信号上升时间Tr的1/4时，布线需视为传输线。此时信号反射、时序误差等问题显著，需采用高速布线方法（如阻抗匹配）以避免信号完整性问题。

9、智能设备时期，功耗/续航是各大设备厂商越来越重视的一个指标，关于优化轻载效率的关键措施说法错误的是（）

A.降低开关频率

B.减低输入电压

C.对于多系统或多模块系统，在轻载时可以关闭部分电路模块

D.系统高频运转

答案：D

解析：系统高频运转会使设备功率消耗增加，不利于优化轻载效率。而降低开关频率可减少开关损耗，降低输入电压能减少功率消耗，对于多系统或多模块系统，轻载时关闭部分电路模块可避免不必要的能耗，这些都是优化轻载效率的关键措施，A、B、C选项说法正确。

10、关于减小电源噪声描述正确的是（）

A.减小电源噪声可以从负载、PDN设计和电源响应总体进行改善

B.只要把PDN降的足够低一定可以减小电源噪声

C.晶片上的电容反应速度最快，为了减小电源噪声，要尽量加大晶片上电容量

D.电容的滤波效果和自身的寄生电感相关，和贴装的方式无关

答案：A

解析：减小电源噪声确实可从负载、PDN设计和电源响应等方面总体进行改善；B选项，只降低PDN不一定能完全减小电源噪声，还有其他因素影响；C选项，晶片上电容虽反应速度快，但不能无限制加大电容量，要综合考虑成本、空间等因素；D选项，电容滤波效果不仅和自身寄生电感相关，贴装方式也会影响其性能，比如会影响寄生参数等，所以该选项错误。

11、针对电子器件的供电电源滤波描述正确的是（）

A.滤除开关电源产生的噪声

B.滤除信号谐波

C.滤除外界耦合的EMI噪声

D.滤除信号回勾

答案：A

解析：电源滤波器通过低通滤波特性抑制高频噪声，主要针对开关电源产生的高频开关噪声（如PWM调制产生的方波噪声）进行滤除。

B错误：信号谐波主要由信号源本身特性决定，需通过信号处理电路抑制而非电源滤波器；C错误：电源滤波器虽能抑制部分外界EMI噪声，但其核心目标是消除电源内部产生的噪声（如开关噪声），外界EMI需通过屏蔽、共模电感等综合措施解决；

D错误：信号回勾属于信号完整性问题，与电源滤波无关。

12、片式电阻表面丝印为1003，该器件阻抗是

A.100KΩ

B.1003Ω

C.1MQ

D.10KΩ

答案：A

解析：片式电阻表面丝印的数字表示其阻值，前三位表示有效数字，第四位表示0的个数。丝印为1003，则表示100后面有3个0，即100000Ω，也就是100KΩ。

13、如下放大电路中哪一个电流增益最小：

A.共集放大电路

B.不能确定

C.共基放大电路

D.共射放大电路

答案：C

解析：共基放大电路的电流增益近似等于1，通常小于共集放大电路（电流增益大于1）和共射放大电路（电流增益较大），所以共基放大电路电流增益最小，能确定，故答案选C。

14、LDO线性稳压电路的损耗如何计算?（）

A.最大输出电流*(最大输入电压-输出电压)

B.最大输出电流*最大输出电压

C.最大输出电流*最大输入电压

D.最大输出电流*芯片规格中的最大drop电压

答案：A

解析：LDO损耗计算公式为输入电压与输出电压的压差乘以最大输出电流，即PD=(VINMAX-VOUTMIN)×ILMAX。选项A正确反映了该公式，其中最大输入电压与输出电压的差值（压差）乘以最大负载电流即为最大损耗。B错误：仅考虑输出电压与电流的乘积，未包含输入电压与输出的压差；C错误：直接使用最大输入电压与电流的乘积，未体现压差特性；D错误：芯片规格中的最大drop电压（压差）需与输入电压共同作用才能计算实际损耗，单独使用压差无法得出结果。

15、信号输出产生毛刺的原因主要是

A.阻抗不匹配

B.串扰

C.数字逻辑的竞争冒险

D.双向IO管脚输入输出状态切换

答案：C

解析：数字逻辑的竞争冒险是信号输出产生毛刺的主要原因，当逻辑门的输入信号经过不同路径传输到达输出端时，由于路径延迟不同会导致信号到达时间有差异，从而产生瞬间的错误输出即毛刺。A选项阻抗不匹配主要会导致信号反射、传输损耗等问题；B选项串扰是指相邻信号之间的相互干扰，主要影响信号的完整性但不是产生毛刺的主要原因；D选项双向IO管脚输入输出状态切换一般不会直接导致信号输出产生毛刺，通常可以通过合理的设计和控制来避免相关问题。

16、电源电路中，数字控制器与模拟控制器相比，最大的缺点在于（）

A.引入截断误差，导致输出精度变差

B.以上都对

C.引入量化误差，导致采样精度变差

D.引入采样延迟，导致控制器实时性变差

答案：D

解析：数字控制器需要对模拟信号进行采样和量化等处理，这会引入采样延迟，相比模拟控制器，其在实时性方面较差。虽然数字控制器存在量化误差等问题，但这并不一定会导致输出精度和采样精度变差，通过合理的设计和算法可以在一定程度上弥补。而采样延迟是数字控制器相对模拟控制器在本质上更突出的缺点，所以选D，不选ABC，故答案为D。

17、NANDFlash相比NORFlash有以下哪些优点

A.可靠性高

B.擦除/写入速度慢，读速度快

C.可擦写次数少

D.集成度高，单位容量价格低

答案：D

解析：NANDFlash采用高密度存储单元结构，制造工艺更简单，单位容量成本显著低于NORFlash。其擦除/写入速度远快于NORFlash（擦除时间以ms级vsNOR的秒级），但存在坏块敏感、需EDC/ECC校验等可靠性问题。选项A错误，NORF